化学突变具有底物结合部位的单克隆抗体制备含硒抗体酶
本发明属于含硒抗体酶的制备技术。用标准单抗制备技术和简单的化学突变相结合的方法可以成功地制备高GPX活力的含硒抗体酶。该抗体酶在稳定性、导向性、对底物的亲和性上都优于天然GPX,而且可以扩大生产,避免了天然酶来源有限的缺点。$本发明制备工艺简单,尤其是在不了解反应机理及反应过渡态的情况下,仍能制备高活力抗体酶。用本发明制备的含硒抗体酶在医疗上有巨大的应用潜力。
发明专利
CN94102481.4
1994-03-09
CN1093405
1994-10-12
C12N9/00
吉林大学
罗贵民; 朱振齐; 丁兰; 孙启安; 高贵; 刘仔; 杨同书; 沈家∴
130023吉林省长春市解放大路83号
吉林大学专利事务所
张博然% 张凯军
吉林;22
一种含硒抗体酶的制备方法,它包括单克隆抗体制备技术和化学突变技术,其特征在于:还原型谷胱甘肽(GSH)与2,4-二硝基氯苯(DCNB)反应,制得S-取代的谷胱甘肽衍生物(GSH-S-DNP)作为半抗原;用戊二醛将GSH-S-DNP与牛血清白蛋白(BSA)偶联在一起,作为全抗原;将合成的全抗原加入福氏佐剂,注射给雌鼠进行免疫,然后用标准单抗制备法制备具有GSH结合部位的单抗。用苯甲基磺酰氟(PMSF)活化单抗可变区中丝氨酸残基(Ser)上的羟基,再用H↓[2]Se处理,则将Ser突变成硒代半胱氨酸(SeCys)。由于SeCys是GPX的催化基团,因而在单抗可变区既有底物结合部位,又有催化基团,结果产生高活力的含硒抗体酶。