ISFET阵列的放大和读出电路

摘要：

一种ISFET阵列的放大和读出电路，其特征在于包括：阵列式开关电容放大电路，与所述ISFET阵列中ISFET器件数量相同，每一开关电容放大电路输入端配置为连接每一ISFET器件漏端，包括由PMOS构成的第一开关；列选择电路，ISFET阵列中各列对应的开关电容放大电路的输出端连通，再通过列选择电路选择输出信号的列；行选择电路，各列对应的开关电容放大电路的PMOS导通开关的栅极连通，再连接行选择电路选择输出信号的行。本发明设计了可以片内放大的高精度，低功耗超大规模ISFET阵列，结合适当的控制方法和后工艺，可以实现新的实用测序芯片的制作。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201810067719.5

申请日期：2018-01-24

公开/公告号：CN108192802A

公开/公告日：2018-06-22

主分类号：C12M1/00(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院半导体研究所

发明/设计人:杨翎;张雪莲;张强;节俊尧;魏清泉;俞育德

主申请人地址:100083 北京市海淀区清华东路甲35号

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人:任岩

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1.一种ISFET阵列的放大和读出电路，其特征在于包括：阵列式开关电容放大电路，与所述ISFET阵列中ISFET器件数量相同，每一开关电容放大电路输入端配置为连接每一ISFET器件漏端，包括由PMOS构成的第一开关；列选择电路，ISFET阵列中各列对应的开关电容放大电路的输出端连通，再通过列选择电路选择输出信号的列；行选择电路，各列对应的开关电容放大电路的PMOS导通开关的栅极连通，再连接行选择电路选择输出信号的行。