一种微流芯片及利用微流芯片制备聚合物微球的方法

摘要：

本发明涉及一种微流芯片，包括合成沟道和两个流聚焦成球沟道，两个流聚焦成球沟道的出口在合成沟道的进口相交汇，每个流聚焦成球沟道由预聚物微球沟道、分散相沟道和两个连续相沟道构成，所述两个连续相沟道分布在分散相沟道两侧，预聚物微球沟道、连续相沟道和分散相沟道均具有输入口和出口，连续相沟道和分散相沟道的出口在预聚物微球沟道的输入口相交汇。本发明还提供了利用上述微流芯片制备聚合物微球的方法：将两种连续相从两个流聚焦沟道的连续相沟道的输入口注入，将分散相分别从两个流聚焦沟道的分散相沟道注入，即从合成沟道出口得到聚合物微球。本发明可精确制作大小一致可控的聚合物微球。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200610019354.6

申请日期：2006-06-14

公开/公告号：CN1884514

公开/公告日：2006-12-27

主分类号：C12N11/08(2006.01)I

申请/专利权人:武汉大学

发明/设计人:赵兴中;刘 侃

主申请人地址:430072湖北省武汉市武昌珞珈山

专利代理机构:武汉天力专利事务所

代理人:程 祥%冯卫平

国别省市代码:湖北;42

权利要求：

权利要求书1.一种微流芯片，包括连续相沟道和分散相沟道，其特征是：设有一个合成沟道和两个流聚焦成球沟道，两个流聚焦成球沟道的出口在合成沟道的进口相交汇，每个流聚焦成球沟道由预聚物微球沟道、分散相沟道和两个连续相沟道构成，所述两个连续相沟道分布在分散相沟道两侧，预聚物微球沟道、连续相沟道和分散相沟道均具有输入口和出口，连续相沟道和分散相沟道的出口在预聚物微球沟道的输入口相交汇，分散相沟道的直径为30-500微米，连续相沟道的直径为30-500微米，预聚物微球沟道的输入口直径为30-200微米。