一株还原碱性介质中高浓度六价铬的细菌及其培养方法

摘要：

一株还原碱性介质中高浓度六价铬的细菌及其培养方法。该菌株为无色细菌，属杆状菌CGMCC1260(Achromobacter sp.)，保藏命名为Ch-1。本发明采用氮源和碳源作培养基；培养条件：温度25℃～35℃，pH 7～11，Cr(VI)浓度1～2000mg/L，好氧或兼氧。本发明弥补了目前细菌不能还原碱性介质中Cr(VI)的不足，并将还原Cr(VI)的能力提高到2g/L以上；细菌培养方法及培养基成分简单，易于大规模培养；可直接用于处理铬盐厂、化工厂等pH值在7～11范围内的碱性含铬废水、铬渣渗滤液。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200510031337.X

申请日期：2005-03-17

公开/公告号：CN1834226

公开/公告日：2006-09-20

主分类号：C12N1/20(2006.01)I

申请/专利权人:中南大学

发明/设计人:柴立元;龙腾发;彭 兵;何德文;闵小波;王云燕

主申请人地址:410083湖南省长沙市麓山南路1号

专利代理机构:中南大学专利中心

代理人:龚灿凡

国别省市代码:湖南;43

权利要求：

1.一株还原碱性介质中高浓度六价铬的细菌，其特征在于：菌株为无色细菌，属杆状菌CGMCC1260(Achromobactersp.)，大小为1.2-3μm×0.5-0.8μm，周身鞭毛，属革兰氏阴性，兼性好氧，保藏命名为Ch-1。